有什么好办法解决,LDO从轻负载跳到重负在(比如10uA→100mA)时,输出电压掉的很厉害的问题?

-

编辑1:在不提高功耗和vref的前提下。

编辑2: 如果不采用电容的方法,有没有其他好的方法。我试图用一个由vout控制的开关(n型)去控制Vg(p型power 管),当vout掉下去时,打开开关将Vg拉低,以增大vout,但是结果失败了。

芯片(集成电路) 模拟电路 芯片设计

加大电容,利用电容放电提高电源的瞬态响应性能。

换个输出功率大的LDO

这玩意是物理限制的,本质上必须降低输出阻抗。由此可推,加大输出电容,提高环路带宽,输出管换成native source follower什么的。

加电容可以,简单粗暴。还可以用两个control loop 一个high gain low speed,一个high bandwidth。还可以用adaptive biasing,具体你搜一下,isscc有篇这个,我记得是港科大发的

解决方案一:选用专门设计的快速响应LDO,现在有无电容和有点容的不同种类LDO,可以满足100mA的输出。
解决方案二:LDO瞬态压降变化是有规律可循的,如果采用外部原件改变电路性能,主要一是增大电容,二是采用低ESR(等效串联电阻)的电容,比如在同等容量下使用低ESR的钽电容或者其他电容。参见:Dr. Rincón-Mora, Dissertation

PS:如果是自己设计LDO那么可以改变的参数很多,如果是使用IC的话,并不是电容越大越好,建议参照数据手册的说明,选用最合适的LDO。

去年遇到过这问题,最后是用加个三极管做电流扩展解决的

都不说是什么ldo,也没见个图,怕是只有神仙给你弄了。

首先你要分析为什么会电压下降,把现象分析清楚才好给出针对性的方案,若是带载能力不够,就要考虑增加带载能力,比如加个晶体管之类,直接加电容会不会简单粗暴了点

题主要提高是瞬态相应还是load regulation?前者要提高带宽,后者要提高增益

只要你环路响应够好..没有电容都行...问题是没人能做出来...

© COPYRIGHT BY i How And Why.com 2015